1. 晶体管电路设计，1947谁发明了晶体管？
1947年——晶体管问世，发现人：巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士。
１９４７年１２月２３日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，３位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。３位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。正因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。
2. 晶体管三个引脚对地电位分别为？
你只要记住放大电路工作的条件，也就是发射结正偏，集电结反偏即可。
从题目中可以看到，三极管是放大状态，所以是导通的，那么发射结的压降应该是0.2V（锗管）或者0.7V（硅管），从Ua和Uc的电压判断，这个管子应该是锗管。
从题目上给出的3个电压都是负值，则可以判断这个是个PNP的管子。
PNP型三极管在放大电路正常工作的时候，发射极电位最高,集电极电位最低。依次可以得到，Ua是E极，Uc是B极，Ub是C极。
3. 电路中要有一个13009的晶体管？
特斯拉线圈又叫泰斯拉线圈，因为这是从"Tesla"这个英文名直接音译过来的。这是一种分布参数高频串联谐振变压器，可以获得上百万伏的高频电压。传统特斯拉线圈的原理是使用变压器使普通电压升压，然后给初级LC回路谐振电容充电，充到放电阈值的，火花间隙放电导通，初级LC回路发生串联谐振，给次级线圈提供足够高的励磁功率，其次是和次级LC回路的频率相等，让次级线圈的电感与分布电容发生串联谐振 ，这时放电终端电压最高，于是就看到闪电了。通俗一点说，它是一个人工闪电制造器。 在世界各地都有特斯拉线圈的爱好者，他们做出了各种各样的设备，制造出了眩目的人工闪电，十分美丽。 其原理是使用变压器使普通电压升压，然后经由两极线圈，从放电终端放电的设备．特斯拉线圈由两个回路通过线圈耦合．首先电源对电容C1充电，当电容的电压高到一定程度超过了打火间隙的阈值，打火间隙击穿空气打火，变压器初级线圈的通路形成，能量在电容C1和初级线圈L1之间振荡，并通过耦合传递到次级线圈．次级线圈也是一个电感，放顶罩C2和大地之间可以等效为一个电容，因此也会发生LC 振荡．当两级振荡频率一样发生谐振的时候，初级回路的能量会涌到次级，放电端的电压峰值会不断增加，直到放电晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管——晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示 是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。
晶体管共基极电路和共发射极放大电路所用的晶体管是同型号，关键是放大电路结构不同，结果使频响范围不同，晶体管型号相同时，共基极电路频带比共发射极放大电路宽得多。
这就像同样一个人，到了不同的工作单位，因为组织管理不同，结果能力发挥截然不同》
4. mosfet为什么比双极晶体管发展快？
mosfet是绝缘栅场效应管，它与双极性晶体管相比较，有无以伦比的优势。首先它是电压控制器件，输入电流极小，输入阻抗很大，这对于放大电路的设计是非常有利的。
现在它的速度巳经与双极性晶体管差不多了，功耗很小，工作速度又差不多，所以它的发展比双极性晶体管快。
5. 晶体管和门电路的区别？
晶体管和门电路存在很大的区别。晶体管可以作放大器，或者也可以用作开关器件，一般在模拟电子线路中有广泛的应用。而门电路是逻辑电路，主要应用在数字电路中，作为逻辑门电路，各类触发器，计数器，分频器等等。虽然门电路也可以由晶体管组成，但二者的区别还是不小的。
6. 晶体管的特点？
尽管最初的晶体管原始且笨拙，但它在当时却是一个举世震惊的突破。晶体管的发明，终于使体积大、耗能多、易碎的真空管有了替代物。同真空管相同的是，晶体管能放大微弱的电子信号；不同的是它廉价、耐久、耗能少，而且在科技高速发展的今天它几乎能够被制成无限小。
1999年9月，法国原子能委员会的科学家研制出当今世界上最小的晶体管，这种晶体管直径仅为20纳米。如果将这种晶体管放进一片普通集成电路中，就好像一根头发丝被放在足球场的中央一样。
如今，小小的晶体管正在我们生活中的各个领域发挥着它不可忽视的作用。
7. 分压式偏置电路在更换晶体管或晶体管断路击穿时？
以NPN三极管为例说明:
1、分压式偏置电路晶体管断路、或拆下时，b极的电压等于上下偏置电阻的分压值，通过两个阻值和电源电压可以计算得到。
C极的电压电源电压，e极的电压等于02、如果三极管击穿，相当于bce短路，三极管的bce电压相等，如果e极没有串接电阻，直接接在电源负极，那么三个极的电压接近于0电压。但是这种状态最终可能会烧保险或是烧断c极。
3、在实际维修发现，有时候虽然三极管坏了，但be之间的PN接是好的，这种状态下b极的电压和三极管正常时候的一样，约等于0.5-0.7(硅管)，还有各种不同情况存在，要在具体电路中才能准确描述。
